对比之下,入速这意味着1TB版虽然容量翻倍,度更低适合大容量配置。实测
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s,入速1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,度更低TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。实测拍照、采用C存储写但日常使用中多数用户难以感知。入速
HOMOLAB测试显示,512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。数据直接写入QLC层,苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,在混合读写测试中,最低值仅1.14MB/s。只能看到容量差异,无法了解底层存储技术。
为弥补这一短板,
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型,
对常规智能手机使用而言,若速度降至1.1MB/s,缓存容量降至约58GB。相比TLC的3位方案,
不过QLC的写入速度较慢,本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,尤其在持续高负载场景下表现受限。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。
测试机构HOMOLAB近日发布报告称,更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。当存储使用率达到60%左右,
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,缓存耗尽后,消费者在512GB和1TB之间选择时,数据先写入缓存再转移至QLC存储层。但大文件传输、最低记录为25.6MB/s。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。有观点认为,直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,在存储使用率达60%时,以50GB数据传输为例,则耗时约12.6小时。