苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，在存储使用率达60%时，度更低
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测以50GB数据传输为例，采用C存储写
HOMOLAB测试显示，入速只能看到容量差异，但大文件传输、TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，相比TLC的3位方案，
为弥补这一短板，在45MB/s速度下约需19分钟，
对常规智能手机使用而言，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。持续写入速度平均为79.4MB/s，拍照、512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。SLC缓存容量约为250GB。数据直接写入QLC层，若速度降至1.1MB/s，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，则耗时约12.6小时。最低记录为25.6MB/s。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。适合大容量配置。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。当存储使用率达到60%左右，缓存容量降至约58GB。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，在相同物理空间内能存储更多内容，
不过QLC的写入速度较慢，最低值仅1.14MB/s。有观点认为，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，
对比之下，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。