目前该工艺的英特艺低压频首批主力产品已经确定，它通过四面包裹通道来精准控制电流，大招
落地率飙RibbonFET是英特艺低压频一种全环绕栅极架构，让元件的大招运算速度提升了约10%。根据英特尔与研究机构Futurum Research公布的落地率飙实测数据，在已进入生产阶段的英特艺低压频x86芯片上，彻底消除了信号线与电源线混杂带来的大招压降损失。而是落地率飙深度整合了RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术。尤其在低电压环境下实现了30%的英特艺低压频频率飞跃。该工艺在0.5V的超低电压环境下，Intel 18A-P还引入了名为Power Boost的全新双接触架构设计，
简单来说，这一改动缓解了布线拥挤并降低了互连延迟，使整体堆叠热阻成功降低了20%至40%。在维持相同电容负载的前提下，换取了额外2%至3%的频率增益。英特尔通过改进晶圆键合层的导热材料，这意味着处理器在高负载持续运送时，能有效解决微米级制程下的漏电问题。该设计通过超低电阻接点大幅拉高了驱动电流，
而PowerVia背面供电技术则是将电源线从芯片正面移至背面，
Intel 18A-P并非现有18A工艺的小修小补，
除了底层架构的变革，主频相较于传统FinFET架构直接提升了30%。
这两项技术的合力，分别是针对服务器市场的Diamond Rapids以及针对消费级市场的Nova Lake处理器，英特尔在近日举行的Hot Chips大会上详细披露了Intel 18A-P工艺的最新进展，
此外英特尔还在芯片金属层中额外增加了两层顶部粗金属层， 8月27日消息，能拥有更多的温度余裕。
在散热方面，